芯东西9月23日报道，上周，国产设备厂商北京华卓精科科技股份有限公司成功过会。事实上，自今年6月以来，华海清科、华卓精科、拓荆科技、屹唐股份等国产设备厂商纷纷进入上市流程，其承担的集成电路研发项目也有所突破。而这正是下游中芯国际等厂商所期待的“及时雨”。
本月，中芯国际披露其将在上海临港再建一座晶圆厂，该晶圆厂总投资88.7亿美元，计划产能为每月10万片12英寸晶圆产能。上海临港管委会为该晶圆厂项目得合资方，出资25%；中芯国际出资则不低于51%。
在二季度电话会议上，有分析师询问了中芯国际28nm制程扩产的情况。中芯国际联席首席执行官赵海军承认，中芯国际的28nm节点扩产确实存在设备“delay（延期）”的情况，正在与合作伙伴进行努力和沟通。
他也强调“办法还是可以想的出来的”，中芯国际有第二方案的供应商。同时，按照此前的经验，中芯国际是可以在一些节点上获得美国政府的批文，中芯国际将努力把这种批准延续到更加先进的节点。
对应各制造环节，主要的半导体设备有热处理设备、薄膜沉积设备、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀设备、去胶设备、离子注入设备、CMP设备等。随着半导体设备厂商逐渐登陆科创板或接受大基金支持，其研发资金有所提升，实现了多项设备的国产替代。如今不少企业的产品已能够用于28nm产线，部分产品甚至打入了最先进的5nm产线。
屹唐股份的实际控制人为财政审计局，此前收购了美国纳斯达克上市公司Mattson Technology Inc.（MTI），其热处理设备最高可用于5nm逻辑芯片产线。
在薄膜生长环节，北方华创能够提供化学气相沉积设备（CVD）、物理气相沉积设备（PVD）、原子层沉积设备（ALD）等产品；拓荆科技则有等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备。
上周六，上海微电子宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机，该光刻机主要应用于高密度异构集成领域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点。
光刻设备中，除了光刻机，涂胶显影设备也是重要的一环。涂胶显影设备将影响光刻图案的形成，其设备质量还将影响后续蚀刻、离子注入等流程。
在这一领域中，芯源微电子设备有限公司是重要的国产供应商，其大部分股东为国资背景。目前，芯源公司的涂胶显影设备最高可用于12英寸单晶圆处理，其前道KS-FT200/300涂胶显影机可用于28nm及以上工艺节点。
其中，中微公司已是全球半导体刻蚀设备的5大供应商之一，其12英寸高端刻蚀设备已用于5nm产线nm刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估已完成。
此外，屹唐股份的干法刻蚀设备可用于65nm-5nm逻辑芯片量产；北方华创的NMC612D 12英寸硅刻蚀机则主要可应用于FinFET工艺下的干法刻蚀工艺。
离子注入则是除了扩散的另一种半导体掺杂技术，该技术通过高能量带电离子束，将掺杂物原子强行注入半导体中。离子注入环节的技术门槛相对较高，国产厂商市场份额较少，仅有中科信及万业企业旗下的凯世通的产品在部分12寸晶圆产线获得验证通过，是否能够帮助中芯国际扩产28nm并不明确。
在干法去胶领域，屹唐股份已成为全球龙头厂商。屹唐股份占据了全球干法去胶设备市场的31.29%，是全球市场份额最多的厂商，其产品可用于90nm到5nm逻辑芯片的干法去胶工艺。
一方面，对华为等美国重点制裁的企业，中芯国际仍不能提供包含ASML DUV光刻机等含有美国技术的产品。另一方面，根据拓荆科技、屹唐股份等厂商的招股书，其设备性能和应用材料、泛林半导体等国际巨头相比仍有不足；CMP和离子注入设备能否顺利应用于28nm产线年，中芯国际就已推出了基于应用材料、泛林半导体等厂商设备的28nm工艺。如今，中芯国际如果将28nm产线全部替换为国产设备，无论是产线产能、成本，还是产品良率都可能无法达到预期。这也是中芯国际仍需要应用材料、泛林半导体等外国厂商设备的关键原因。
从国产设备厂商来看，中微公司、屹唐股份、华海清科等厂商都已在科创板上市或进入上市流程。这些厂商对于中芯国际来说，不仅是应用材料、泛林半导体等企业的备选方案，也是中芯国际实现国产替代、冲刺更先进制程的战友。
随着自动驾驶等新兴技术的普及，28nm制程正成为企业营收的重要来源。台积电、联电等厂商都在加强对这一节点市场的争夺。从最新的晶圆代工市场份额来看，28nm等成熟制程正成为企业毛利、营收增长的关键。
中芯国际如果能够顺利完成28nm产线扩张，无疑可以加强自身的市场竞争力，占据更多的市场份额。28nm产线扩张更将有力地支持中芯国际对先进制程工艺的研发，提升国产芯片制造实力。
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