声明：，，，。概况
（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（首要包含半导体设备，也包含被逼组件等）小型化的办法，并常常制作在半导体晶圆外表上。
电路制作在半导体芯片外表上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。还有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被逼组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因而荣获2000年诺贝尔物理奖，兰驼甩但一起刻也展开出近代有用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。
晶体管发明并许多出产之后，各式固态半导体组件如二极管晶体管等许多运用，替代了真空管在电路中的功用与人物。到了20世纪中后期半导体制作技能前进，使得集成电路成为或许。相关于手艺拼装电路运用单个的分立电子组件，集成电路能够把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的前进。集成电路的规划出产能力，可靠性只记笑腿，电立弃记路规划的模块化办法保证了快速选用充举符规范化集成电路替代了规划运用离散晶体管。
集成电路关于离散晶体管有两个首要优势：本钱和功用。本钱低是由于芯片把悉数的组件经过照相平版技能，作为一个单位印刷，而不是在一个时刻只制作一个晶体管。功用高是由于组件快速开关，耗费更低能量，由于组件很小且互相接近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²能够到达一百万个晶体管。
榜首个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完结的，其间包含一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。
中型集成电路（MSI英文耻挨格精全名为Medium Scale Integration）逻辑门11~100个或 晶体管101~1k个。
大规划集成电路（LSI英文全名为Large Scale Integration）逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。
超大规划集成电路（VLSI英文全名为Very large scale integration）逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个。
极大规划集成电路（ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration）逻辑门10,001~1M个或 晶体管100,001~10M个。
GLSI（英文全名为Giga Scale Integration）逻辑门1,000,001个以上或晶体管10,000,001个以上。
最早进的集成电路微处理器或多核处理器的中心，能够操控核算机手机到数字微波炉的悉数。虽然规划开发一个杂乱集成电路的本钱非常高，可是当涣散到一般以百万计的产品上，每个集成电路的本钱最小化。集成电路的功用很高，由于小尺度带来短途径，使得低功率逻辑电路能够在快速开关速度运用。
这些年来，集成电路持续向更小的外型尺度展开，使得每个芯片能够封装更多的电路。这样应她应添加狱整了每单位面积容量，能够降低本钱和添加功用，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年添加一倍。总归，跟着外形尺度缩小，简直悉数的方针改进了，单位本钱和开关功率耗费下降，速度前进。可是，集成纳米等级设备的IC也存在问题，首要是走漏电流。因而，关于终究用户的速度和功率耗费添加非常显着，制作商面对运用更好几何学的尖利应战。这个进程和在未来几年所希望的前进，在半导体世界技能路线图中有很好的描绘。
仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，核算机、手机和其他数字电器成为社会结构不行短少的一部分。这是由于，现代核算、沟通、制作和交通体系，包含互联网，全都依赖于集成电路的存在。乃至许多学者以为有集成电路带来的数字革新是人类前史中最重要的事情。IC的老练将会带来科技的，不论是在规划的技能上，或是半导体的工艺打破，两者都是休戚相关。
集成电路的分类办法许多，依照电路属模仿数字，能够分为：模仿集成电路数字集成电路和混合信号集成电路（模仿和数字在一个芯片上）。
数字集成电路能够包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺度使得与板级集成比较，有更高速度，更低功耗（拜见低功耗规划）并降低了制作本钱。这些数字IC，以微处理器、数字信号处理器微操控器为代表，工作中运用二进制，处理1和0信号。
模仿集成电路有，例如传感器、电源操控电路和运放，处理模仿信号。完结扩大滤波解调混频的功用等。经过运用专家所规划、具有杰出特性的模仿集成电路，减轻了电路规划师的重担，不需凡事再由根底的一个个晶体管处规划起。
集成电路能够把模仿和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模仿数字转化器和数字模仿转化器等器材。这种电路供给更小的尺度和更低的本钱，可是关于信号抵触有必要当心。
从20世纪30年代开端，元素周期表中的化学元素中的半导体被研讨者如贝尔实验室威廉·肖克利（William Shockley）以为是固态真空管的最或许的质料。从氧化铜锗，再到硅，质料在20世纪40到50年代被体系的研讨。虽然元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓运用于特别用处如：发光二极管激光太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路干流的底层。发明无缺陷晶体的办法用去了数十年的时刻。
运用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作底层，然后运用光刻、掺杂、CMP等技能制成MOSFETBJT等组件，再运用薄膜和CMP技能制成导线，如此便完结芯片制作。因产品功用需求及本钱考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主拜见Damascene）。首要的工艺技能能够分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、分散、薄膜、平整化制成、金属化制成。
IC由许多堆叠的层组成，每层由视频技能界说，一般用不同的色彩表明。一些层标明在哪里不同的掺杂剂分散进底层（成为分散层），一些界说哪里额定的离子灌注（灌注层），一些界说导体（多晶硅或金属层），一些界说传导层之间的衔接（过孔或触摸层）。悉数的组件由这些层的特定组合构成。
在一个自摆放（CMOS）进程中，悉数门层（多晶硅或金属）穿过分散层的当地构成晶体管。
由于CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转化，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）耗费的电流少许多。透过电路的规划，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就能够画出不同效果的集成电路。
随机存取存储器是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。虽然结构非常杂乱－几十年来芯片宽度一向削减－但集成电路的层仍然比宽度薄许多。组件层的制作非常像照相进程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，由于他们太大了。高频光子（一般是紫外线）被用来发明每层的图画。由于每个特征都非常小，关于一个正在调试制作进程的进程工程师来说，电子显微镜是必要东西。
在运用自动测验设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测验。测验进程称为晶圆测验或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（“die”）。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，衔接到封装内，pads一般在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中运用的相同或类似的ATE上进行终检。测验本钱能够到达低本钱 产品的制作本钱的25%，可是关于低产出，大型和/或高本钱的设备，能够忽略不计。
，指fabrication facility）建造费用要超越10亿美元，由于大部分操作是自动化的。
芯片制作完好进程包含芯片规划、晶片制作、封装制作、测验等几个环节，其间晶片制作进程尤为的杂乱。
晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制作集成电路的石英半导体的资料，将其切片便是芯片制作详细所需求的晶圆。晶圆越薄，出产的本钱越低，但对工艺就要求的越高。
该进程运用了对紫外光灵敏的化学物质，即遇紫外光则变软。经过操控遮光物的方位能够得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时能够用上榜首份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩余的部分就与遮光物的形状相同了，而这效果正是咱们所要的。这样就得到咱们所需求的二氧化硅层。
详细工艺是是从硅片上露出的区域开端，放入化学离子混合液中。这一工艺将改动搀和区的导电办法，使每个晶体管能够通、断、或带着数据。简略的芯片能够只用一层，但杂乱的芯片一般有许多层，这时分将该流程不断的重复，不同层可经过敞开窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。 更为杂乱的芯片或许需求多个二氧化硅层，这时分经过重复光刻以及上面流程来完结，构成一个立体的结构。
经过上面的几道工艺之后，晶圆上就构成了一个个格状的晶粒。经过针测的办法对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的具有的晶粒数量是巨大的，安排一次针测验方法是非常杂乱的进程，这要求了在出产的时分尽量是平等芯片规范结构的类型的大批量的出产。数量越大相对本钱就会越低，这也是为什么干流芯片器材造价低的一个要素。
将制作完结晶圆固定，绑定引脚，依照需求去制作成各种不同的封装方法，这便是同种芯片内核能够有不同的封装方法的原因。比方：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这儿首要是由用户的运用习气、运用环境、商场方法等外围要从来决议的。
经过上述工艺流程今后，芯片制作就现已悉数完结了，这一进程是将芯片进行测验、除掉不良品，以及包装。
前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。象MC开端的多半是摩托罗拉的，MAX开端的多半是美信的。
中心的数字是功用类型。像MC7805和LM7805，从7805上能够看出它们的功用都是输出5V，仅仅厂家不相同。
后边的字母多半是封装信息，要看厂商供给的资料才干知道详细字母代表什么封装。
74系列是规范的TTL逻辑器材的通用称号，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。
器材称号----一般能够揣度产品的功用（memory能够得知其容量）。
温度等级-----差异商业级，工业级，军级等。一般情况下，C表明民用级，Ⅰ表明工业级，E表明扩展工业级，A表明航空级，M表明军等第。
速率----如memory，MCU，DSP，FPGA 等产品都有速率差异，如-5，-6之类数字表明。
工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表明。
是否环保-----一般在类型的结尾会有一个字母来表明是否环保，如z，R，+等。
包装-----显现该物料是以何种包装运送的，如tube，T/R，rail，tray等。
C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（军等第）
A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP （300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔ X—SC-60(3P，5P，6P)﹔ Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。
A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28 ；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔ W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10(圆形)。
注:接口类产品四个字母后缀的榜首个字母是E，则表明该器材具有抗静电功用
最早的集成电路运用陶瓷扁平封装，这种封装许多年来由于可靠性和小尺度持续被军方运用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开端是陶瓷，之后是塑料。20世纪80年代，VLSI电路的针脚超越了DIP封装的运用约束，终究导致插针网格数组和芯片载体的呈现。
外表贴着封装在20世纪80年代初期呈现，该年代后期开端盛行。它运用更细的脚距离，引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）为例，比持平的DIP面积少30-50%，厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚杰出，引脚距离为0.05英寸。
Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封装。20世纪90年代，虽然PGA封装仍然常常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成为高引脚数设备的一般封装。Intel和AMD的高端微处理从PGA（Pine Grid Array）封装转到了平面网格阵列封装（Land Grid Array，LGA）封装。
球栅数组封装封装从20世纪70年代开端呈现，90年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中，晶片（die）被上下翻转（flipped）装置，经过与PCB类似的底层而不是线与封装上的焊球衔接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列（称为I/O区域）散布在整个芯片的外表，而不是约束于芯片的外围。现在的商场，封装也现已是独立出来的一环，封装的技能也会影响到产品的质量及良率。
狭义:运用膜技能及微细加工技能，将芯片及其他要素在结构或基板.上安置、张贴固定及衔接，引出接线端子并经过可塑性绝缘介质灌封固定，构成全体立体结构的工艺。
广义:将封装体与基板衔接固定，装配成完好的体系或电子设备，并保证整个体系归纳功用的工程。
1、传递功用；2、传递电路信号；3、供给散热途径；4、结构维护与支撑。
封装工程始于集成电路芯片制成之后，包含集成电路芯片的张贴固定、互连、封装、密封维护、与电路板的衔接、体系组合，直到终究产品完结之前的悉数进程。
榜首层次:又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的张贴固定、电路连线与封装维护的工艺，使之成为易于取放运送，并可与下一层次拼装进行衔接的模块(组件)元件。
第二层次:将数个第-层次完结的封装与其他电子元器材组成- -个电路卡的工艺。第三层次:将数个第二层次完结的封装拼装的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子体系的工艺。
在芯片.上的集成电路元器材间的连线工艺也称为零级层次的封装，因而封装工程也能够用五个层次差异。
1、按封装集成电路芯片的数目:单芯片封装(scP)和多芯片封装(MCP)；
3、按器材与电路板互连办法:引脚刺进型(PTH)和外表贴装型(SMT)4、按引脚散布形状:单边引脚、双方引脚、四边引脚和底部引脚；
SIP :单列式封装 SQP:小型化封装 MCP:金属罐式封装 DIP:双列式封装 CSP:芯片尺度封装QFP: 四边扁平封装 PGA:点阵式封装 BGA:球栅阵列式封装LCCC: 无引线陶瓷芯片载体
芯片是一种集成电路，由许多的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规划，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状况，开和关，用1、0来表明。多个晶体管发生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功用（即指令和数据），来表明或处理字母、数字、色彩和图形等。芯片加电今后，首要发生一个发动指令，来发动芯片，今后就不断承受新指令和数据，来完结功用。
2020年8月，国务院印发《新时期促进集成电路工业和软件工业高质量展开的若干方针》，让本已非常炽热的国产芯片职业再添重磅利好。
据美国顾客新闻与商业频道网站8月10日报导，我国发布一系列方针来协助提振国内半导体职业。大部分鼓舞办法的焦点是减税。例如，运营期在15年以上、出产的集成电路线纳米（含）的制作商将被免征长达10年的企业所得税。关于芯片制作商来说，优惠期自获利年度起核算。新方针还重视融资问题，鼓舞公司在科创板等以科技股为主的证券交易板块上市。
1965年，榜首批国内研制的晶体管和数字电路在河北半导体研讨所判定成功。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属-氧化物-半导体）集成电路。
1972年，我国榜首块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研讨所制。
1976年，中科院核算所选用中科院109厂（现中科院微电子研讨所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路），研制成功1000万次大型电子核算机。
1980年，我国榜首条3英寸线厂从东芝引入电视机集成电路出产线，这是我国榜初次从国外引入集成电路技能；
国务院树立电子核算机和大规划集成电路领导小组，拟定了我国IC展开规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技能改造。
1988年，上无十四厂建成了我国榜首条4英寸线年，机电部在无锡举行“八五”集成电路展开战略研讨会，提出复兴集成电路的展开战略；
1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司树立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。
1992年，上海飞利浦公司建成了我国榜首条5英寸线K DRAM在我国华晶电子集团公司试制成功。
1994年，首钢日电公司建成了我国榜首条6英寸线年，国务院决议持续施行集成电路专项工程（“909”工程），会集建造我国榜首条8英寸出产线年，英特尔公司出资在上海建造封测厂。
1997年，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组成上海华虹NEC电子有限公司，首要承当“909”主体工程超大规划集成电路芯片出产线年，华晶与上华协作出产MOS 圆片合约签定，开端了我国大陆的Foundry年代；由承当的我国榜首条8英寸硅单晶抛光出产线年，上海华虹NEC的榜首条8英寸出产线年，中芯世界在上海树立，国务院18号文件加大对集成电路的扶持力度。
2004年，我国大陆榜首条12英寸线年，树立“国家严重科技专项”；无锡海力士意法半导体正式投产。
2011年，《关于印发进一步鼓舞软件工业和承继电路工业展开若干方针的告知》。
2012年，《集成电路工业“十二五”展开规划》发布；韩国三星70亿美元一期出资闪存芯片项目落户西安。
2013年，紫光收买展讯通讯、锐迪科；大陆IC规划公司进入10亿美元沙龙。
2014年，《国家集成电路工业展开推动大纲》正式发布施行；“国家集成电路工业展开出资基金”（大基金）树立。
2015年，长电科技以7.8亿美元收买星科金朋公司；中芯世界28纳米产品完结量产。
2016年，大基金、紫光出资长江贮存；榜首台悉数选用国产处理器构建的超级核算机“威风太湖之光”获世界超算冠军。
2017年，长江纯纯一期项目封顶；存储器产线建造全面敞开；全球首家AI芯片独角兽草创公司树立；华为发布全球榜首款人工智能芯片麒麟970。
2019年，全球首款5GSoC芯片海思麒麟990问世，选用了全球先进的7纳米工艺；64层3DNAND闪存芯片完结量产；中芯世界14纳米工艺量产。
2020年8月7日，华为常务董事、华为顾客事务CEO余承东我国信息化百人会2020年峰会上的讲演中说，受控制影响，下半年出售的Mate 40所搭载的麒麟9000芯片，或将是华为自研的麒麟芯片的终究一代。
以制作为主的芯片下流，是我国集成电路工业最单薄的环节。由于工艺杂乱，芯片制作涉及到从学界到工业界在资料、工程、物理、化学、光学等方面的长时间堆集，这些短板短期内难以补足。
任正非早就表明：华为很像一架被打得千疮百孔的飞机，正在赶紧补洞，现在大多数洞现已补好，还有一些比较重要的洞，需求两三年才干彻底战胜。
a余承东是供认，最初只做规划不做出产是个过错，除了补洞更要拓宽新的领地。
a一方面，华为正在从芯片规划向上游延伸。余承东曾表明，华为将全方位扎根，打破物理学资料学根底研讨和精细制作。
a华为顾客事务树立专门部分做屏幕驱动芯片，进军屏幕职业。早前，网络爆出华为在内部敞开塔山方案准备建造一条彻底没有美国技能的45nm的芯片出产线，一起还在探究协作树立28nm的自主技能芯片出产线。
据撒播的资料显现，这项方案包含EDA规划、资料、资料的出产制作、工艺、规划、半导体制作、芯片封测等在内的各个半导体工业关键环节，完结半导体技能的全面自主可控。
1、日本《日经亚洲谈论》8月12日文章称，我国招聘了100多名前台积电工程师以力求取得芯片（工业）领军位置 。作为全世界最大的芯片代工企业，台积电成为我国（大陆）爱才如命的芯片项目的首要方针。
高德纳咨询半导体剖析师罗杰·盛（音）说：“我国芯片人才仍然奇缺，由于该国正在一起展开许多大型项目。人才缺乏是限制半导体展开的瓶颈。
2、华为顾客事务CEO余承东近来供认，由于美国对华为的第二轮制裁，到9月16日华为麒麟高端芯片就将用光库存。在芯片危机上华为怎么破局，美国CNBC网站11日剖析称，华为有5个挑选，但一起“悉数5个挑选都面对严重应战”。
3、德国《经济周刊》表明，以半导体职业为例，虽然我国芯片需求到达全球60％，但我国自产的只要13％。路透社称，美国对华为镇压加重，我国则力推经济内循环，力求在高科技范畴不受制于人。
瑞士米拉博证券公司技能、媒体和电信研讨主管尼尔·坎普林在电子邮件中告知顾客新闻与商业频道记者：“我以为，这场新的技能暗斗正是我国攀爬技能曲线、活跃开发本乡技能的原因。”
欧亚集团地缘-技能事务负责人保罗·特廖洛说：“新方针中列出的优惠待遇将在某些范畴起到协助效果，但从短期看，对我国半导体企业向价值链上游攀升和前进全球竞争力协助有限。”
2020年8月13日音讯，国务院近来印发《新时期促进集成电路工业和软件工业高质量展开的若干方针》，让本已非常炽热的国产芯片职业再添重磅利好。重磅方针激活万亿商场，“新经济”“新基建”催生新机遇。“新需求”迸发，国产芯片迎黄金展开期。
2020年8月10日，据美国顾客新闻与商业频道网站日报导，我国发布了一系列方针来协助提振国内半导体职业。大部分鼓舞办法的焦点是减税。
在美国屡次打乱全球芯片供给链之后，芯片求过于供的局势正在不断延伸。在群众、通用等多家轿车制作商因芯片缺少而被逼宣告减产之后，近期美国科技巨子苹果好像也由于芯片供给缺乏，而将中止出产iPhone 12 mini。
报导显现，全球最大的芯片制作商之一——韩国三星电子的讲话人表明，该公司在美国德州奥斯汀有2家工厂，而本周二当地政府现已要求该公司封闭这2家工厂。据悉，奥斯汀工厂约占三星芯片总产能的28%。其讲话人称，三星将赶快康复出产，不过有必要等候电力供给康复。
据悉，此前德州约有380万名居民被断电。为了赶快处理这一问题，德州政府周四发布了天然气对外出售禁令，要求天然气出产商将天然气卖给本州电厂。德州电网运营商Ercot的高管Dan Woodfin在承受采访时称，天然气供给缺乏是其难以康复供电的原因之一。
而在德州许多人口呈现断电问题之际，工厂的用电需求天然无法优先得到满意。报导显现，三星并非被要求封闭芯片工厂的企业，恩智浦和英飞凌等芯片巨子也因电力供给中止而封闭了在当地的工厂。
与此一起，我国芯片国产化的进程则在不断加快。周四最新音讯显现，百度在其最新发布的财报中初次披露了其芯片发展。该财报显现，百度自主研制的昆仑2芯片行将量产，以提高百度智能云的算力优势。
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“全球把握芯片金属靶材制作技能的只要美国、日本几家公司，他们是最早进入到这一范畴的我国企业。芯片是我国输不起的战略范畴，我国每年芯片进口的花费现已超越原油。
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iPhone 的芯片比一半硬币小，云服务器中的芯片比一角纸币小，但现在，一个比 iPad 还大的芯片制作出来了。它也成了现在史上最大的核算机芯片。这个芯片名为 CerebrasWafer Scale Engine，由加利福尼亚一家名为 Cerebras 的草创公司制作，尺度约为 8 英寸 ×8 英寸。
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