FPM 早年一度是计算机中最常见的 DRAM 办法。事实上,因为 FPM 如此常见,它被省掉 FPM 而直接称为 DRAM , FPM 以更快存取坐落同一列的数据的速度供给了较前期内存科技更多的优势。
1995 年时, EDO 技能成为另一项内存改造。它与 FPM 技能适当相似,但略微批改以加快接连内存存取,这项技能使内存操控器可以在下达指令的进程中省掉几个进程以节省时刻。 EDO 技能使中央处理器能以比 FPM 技能快 10% 到 15% 的速度存取内存。
1996 年末, SDRAM 开端在体系中呈现,不同于前期的技能, SDRAM 是为了与中央处理器的计时同步化所规划,这使得内存操控器可以把握预备所要求的材料所需的精确时钟周期,因而中央处理器从此不需求拖延下一次的数据存取。 SDRAM 芯片一起也运用 Interleaving 与 Bursting 功用以加快回忆读取的速度, SDRAM 有数种不同的速度以便与所运用的体系时钟同步化,举例而言, PC66 SDRAM 以 66MHz 的速度运作, PC100 SDRAM 以 100MHz 的速度运作, PC133 SDRAM 以 133MHz 的速度运作。以此类推,速度更快的 SDRAM 例如 200MHz 以及 266MHz 。
Direct Rambus 是一项应战传统主存储器规划的全新 DRAM 结构以及接口规范。与较早的内存技能比较, Direct Rambus 技能的速度惊人,它以高达 800MHz 的速度透过一个称为 Direct Rambus Channel 的狭隘 16 位总线传输数据,它的高传输速度是透过一项使内存可以在时钟周期波峰及波谷履行作业的 double clocked 功用,一起,每个 RDRAM 模块上的内存设备可以供给高达每秒 1.6GB 的频宽。
除了为主存储器所规划的芯片技能,市面上也有为影片运用所特别规划的内存技能
VRAM 是印象版别的 FPM 技能, VRAM 一般具有两个而非一个接口,使内存可以运用一个频道来从头整理屏幕,而另一个来改动屏幕上的印象。对影片程序来说,它比一般的 DRAM 更有功率,可是因为影片内存芯片的运用量较主存储器芯片少,它的价格一般来说也较贵重,所以,体系规划师或许会挑选在影片体系中运用一般的 DRAM ,乃是依价格或效能体现的要求而决议。
WRAM 是另一种运用在运用许多图画体系中的双接口内存,它与 VRAM 略微不同的当地在于它较小的指定显现接口以及它支撑 EDO 功用。
SGRAM 是一个包含图画读写的 SDRAM 特制影片处理之产品。 SGRAM 一起也让数据可以以群组而非单个的办法读取以及批改,这项功用削减内存有必要履行的读写动作,使处理进程更有功率,并因而进步图画操控器的效能体现。
早在成为主存储器的竞争者之前, Rambus 技能现已被运用在影片内存上。现在的 Rambus 主存储器技能称为 Direct Rambus 。两项较前期的技能别离称为 Base Rambus 以及 Concurrent Rambus 这两种办法的 Rambus ,早在几年前就已被运用在某些工作站的影片程序以及电视游乐器体系,例如任天堂 64 上。
为了进步规范内存模块的速度与功率,某些制造厂将一小部份的 SRAM 直接合并于芯片上,制成一个芯片上的快速缓冲贮存区 ESDRAM 自身是一个 SDRAM 加上一个小容量的 SRAM 快速缓冲贮存区,使运作速度到达 200MHz 。就好像外部 SRAM 快速缓冲贮存区,快速缓冲贮存 DRAM 的方针在于将最常运用的数据置于 SRAM Cache 以将来回从速度较慢的 DRAM 存取的动作减到最少。在芯片上的快速缓冲贮存区的其间一项长处在于它可以给予 SRAM 与 DRAM 间更宽的总线,并实践进步 DRAM 的速度与频宽。
FCRAM 是由 Toshiba 与 Fujitsu 为特别设备体系所一起研究开发的,例如高阶服务器、打印机与电信转接体系。它包含内存数组切割以及内部流水线规划以加快随机存取以及削减电力耗费。
尽管现在已被视为过期, SLDRAM 为一些 DRAM 制造厂在 90 时代晚期一起研制以替代 Rambus 技能。
1999 年因为 SDRAM 在市场上大为缺货,而由日本 NEC 恩益禧调配一些主机板厂商及芯片组 (Chipset) 业者,大力推广所谓的 VCM 模块技能,而为顾客广为承受,日本 NEC 更期望一举将 VCM 的规范面向工业级规范 , VCM 技能使不同 群 的内存可以运用自身的缓冲存储器独立与内存操控器通讯。由此,不同的体系作业便可以分配到自己的 虚拟通道 (Virtual Channel) ,而和一项作业相关的信息便不与其它一起履行之作业同享缓冲存储器空间,使体系功率更高。
闪存是一种固态、不易蒸发、可复写的内存,其运作办法就像随机存取内存与硬盘的混合体。就像 DRAM ,闪存将数据位贮存在内存单位 (cell) 中,可是跟硬盘相同,当电源封闭后数据仍保留在内存上,因为它的高速持久性以及低电压需求,闪存十分适合在许多设备中运用,例如数字相机、举动电话、打印机、掌上型计算机、呼叫器、以及录音机。
保证贮存数据的完整性是内存规划上很重要的一环,达到这个要求的两项最重要的办法为 Parity 与 error correction code (ECC) 。
在前史上, parity 是最常被运用的数据汇整办法。 Parity 可以侦办,但不能批改到小至一位的过错; Error Correction Code (ECC) 是一种可以侦办并批改单位元过错的更广泛之数据完整性检测。
越来越少个人计算机制造厂在规划中支撑数据完整性检测,这是因为下列几个原因,
o 借着除掉较一般内存贵重的 parity 内存,出产商便能下降计算机的价格
o 某些制造厂所出产的内存产品品质的进步以及内存过错频率的下降,批改了这种倾向的缺乏。
数据完整性查看的品种按照计算机体系的用处而有所不同,假如这部计算机的位置十分重要例如,做为服务器,那么一个支撑数据完整性检测的计算机就十分抱负。大致上 :
下面的表格表明 Odd Parity 与 Even Parity 的运作办法。处理进程相同,但特性相反。
当相对应的数据的字节中含有偶数数量的 1 时 , 同位位为 1( 或是电源翻开 )
同位也有其约束。举例而言,同位只能侦测过错而不能批改;这是因为同位技能无法判别找出八位中的过错位。
此外,当多个位无效而数据满意所运用的奇同位或偶同位条件,同位电路便无法找出过错。举例而言,当一个有用的 0 变成无效的 1 而有用的 1 变成无效的 0 ,两个过错便彼此抵消而同位电路便无法发现过错。所幸,这种情况发生的时机适当细小。
Error Correction Code 是一种首要用在高阶个人计算机以及档案服务器中的数据完整性检测。 ECC 与 Parity 检测的重要不同点在于 ECC 可以侦测并批改单位元过错,运用 ECC 时,单位元过错批改一般在运用者发现过错之前就现已完结。按照运用的内存操控器的不同, ECC 也可以侦测到罕见的 2,3,4 位过错,尽管 ECC 可以侦测到这些过错 , ,并不能批改这些过错。可是,有些办法较杂乱的 ECC 便能批改多位过错。
运用一种特别的数学规矩体系,并与内存操控器结合, ECC 电路在存入内存的数据位中参加 ECC 位,当 CPU 向内存要求数据时 , 内存操控器将 ECC 位译码并判段是否有一个或是多个损坏字节。假如有单位元过错, ECC 电路便批改该位,假如发生多位过错, ECC 电路便报答同位过错。
除了规范、内存技能、以及过错侦测办法以外,还有几个了解与挑选内存产品时需求了解的重要特色。
内存零件与模块的速度是最佳化内存装备时最重要的条件。事实上,一切的计算机体系指明内存零件的速度,这些指示有必要被恪守以保证内存兼容性。这个部分将介绍三种丈量内存零件与模块速度的办法,存取时刻 , 兆赫 , 与字节 / 秒。
在 SDRAM 呈现前,内存速度是以存取时刻来表明,以奈秒为单位。内存模块的存取时刻表明模块送出所要求的数据所需的时刻,所以,越小的数字代表越短的存取时刻。常见的速度为 80ns 、 70ns 以及 60ns ,许多时分,模块的速度可以从模块的类型辨认,以 -6 结束代表 60ns, 以 -7 代表 70ns ,以此类推。
绝大多数时分,您可以在计算机体系上运用与标明体系指定速度相同或更快的内存零件,举例而言,假如体系要求 70ns 内存,运用 70ns 及 60ns 内存一般不会有问题。可是有些较老的体系在体系发动时会查看内存 ID 的标明速度 , 而且只会在认可指定速度后发动,举例而言 , 假如体系指定速度为 80ns, 不同的速度便不会被承受 , 即便它比较快。许多这样的情况下 , 这种体系所运用的模块依然可以装置速度较高的芯片 , 可是模块的 ID 会被设定在比较慢的速度以保证体系的兼容性 这便是模块上标明的速度有时与实践速度不同的原因。
好像前面所说的 , 处理器的速度与内存的速度一般不是相同的,内存的速度遭到内存总线速度的约束 , 处理进程中速度最慢的一环。
一开端将百万赫兹数转化为字节数 / 秒或许会令人感到困惑,转化进程中最重要的两项数据是速度 (MHz) 以及总线宽度 ( 位 ) 。
总线 位总线 位,或一个字节的数据可以一次透过总线 位总线 字节的数据可以一次透过总线传输。
总线速度:假如内存总线MHz ,这代表每秒一亿时钟周期,一般来说,每个时钟周期可以传输一个 Pack 的信息,假如这个 100MHz 总线 字节,那么数据便能以每秒 100MB 的速度传输;在 100MHz 的 64- 位宽的总线MB 的速度传输。
Rambus 模块速度有时以 MHz 表明,有时以 MB/ 秒表明。有一型 Rambus 模块以 400MHz 的速度运作,但因为 Rambus 可以在一个时钟周期中传输两组,而非一组数据,模块速度便是 800MHz 有时称为 PC800 因为 Rambus 总线 字节宽,数据以每秒 1600MB, 或 1.6GB 的速度传输用相同的办法运算 ,PC600 Rambus 模块以每秒 1.2GB 的速度传输数据。
Registers 以及 Buffers 以 从头驱动 (re-driving) 忆体芯片中操控信号的办法改进内存运作,它们可以被设备在内存模块外或是装置在内存模块上。将 Registers 与 Buffers 放置在内存模块上能使体系包容更多内存模块。这类模块一般在服务器或是高阶工作站计算机中发现。在晋级时有必要留意的是 , 无 buffers 及有 buffers ( 或 Registers) 的内存模块不可以混用。
有 Buffer 及无 Buffer 模块的比较 它们各有不同的 Keys 数目以保证两者不被混用。
Multiple-Banked 模块给与芯片运用更多弹性空间。 Multiple Banking 使内存规划师可以将模块分红数个部分,所以在计算机体系中能同等多于一个模块。这样的规划同等于计算机中的多组内存插槽:体系一次从一组内存中存取,不论回忆库中有多少内存插槽。
内存模块的连接点是用锡制或金制。金的传导较锡杰出,可是因为锡的价值较金廉价许多,在 90 时代初期,计算机制造厂开端在体系主机板插槽中运用锡制连接点以下降成本。假如在购买内存时可以挑选,意即一起有装备金质连接点与锡制连接点的模块可以挑选,最好可以调配模块插槽所运用的金属挑选。运用相同的金属可以防止腐蚀。
更新速度是指将内存芯片中的内存单位从头充电的程序。计算机内存的内部被规划成队伍式的内存数组,就像棋盘上的格子,而每纵列再以芯片上的 I/O 宽度加以切割,整个队伍安排称为 DRAM 数组。 DRAM 被称为 动态 随机存取内存,因为它每秒必需被更新,或从头充电数千次以贮存数据,因为内存单位被规划在贮存电能细小的电容四周,它们有必要被更新。这些电容以相似细小电池的办法运作,在不充电的情况下即失去除贮存的电能,一起从内存数组中读取数据的进程耗费贮存的电能,所以读取数据前内存单位有必要从头充电。
内存单位以每次一行的办法更新 ( 一般每更新周期一行 ) , 更新速度 并不是指更新内存所需的时刻,而是指更新整个内存数组所需更新的行数。举例而言, 2K 的更新速度指更新整个数组时需求更新 2048 行,相同的, 4K 更新速度指需求更新 4096 行。
一般来说,体系中的内存操控器开始更新作业。可是有些芯片可以自行更新,这代表这些 DRAM 芯片永有自己的更新电路而不需中央处理器以或外部内存操控器干与,自行更新芯片可以大幅削减电力耗费 , 而且常用于携带式计算机。
跟着内存零件的速度进步,芯片密度随之进步,而更多电路也被紧缩规划入更小的电路板上,剩余热能的涣散成为更重要的问题。近年来新的处理器现已参加电扇规划,新的内存模块规划运用散热器以及散热片来保持安全运作温度。
EPROM 是一种可以记载内存模块不同相关信息的芯片,这些信息包含模块容量、速度、内存品种、乃至制造厂姓名。开机时,中央处理器运用这些信息来了解体系中所运用的内存品种并依此调整设定。 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 芯片 ( 有时称为 E2PROM) 与 EPROM 的不同处在于它被批改时不需求从计算机中取出,可是它必需悉数一起,而不能挑选性的,铲除或重设,一起它也有必定的寿数,便是它只可以被重设必定次数。
跟着 DRAM 芯片间间隔削减以及散热重要性添加,内存模块上的电压持续下降。早年大多数的计算机体系以五伏特的规范电压运作。小型笔记型计算机首要运用 3.3 伏特芯片,这不仅仅因为温度问题,因为低电压芯片运用较少电力,所以可以延伸电池寿数。现在大多数桌上型计算机也运用规范 3.3 伏特内存,可是跟着产品尺度持续缩小以及零件越来越挨近, 3.3 伏特内存正快速的被 2.5 伏特芯片所替代。
组成与非组成最早被苹果计算机运用在分辩容量相同可是运用不同数目芯片的模块。当业界正处于一个芯片密度出产过度期时,一般来说会有一段时刻可以出产,例如,具有 8 个新容量芯片或是 32 个旧容量芯片的模块。苹果计算机将运用最新技能以及较少芯片的模块称为 非组成 , 而运用较前期的技能与较多芯片的模块称为 组成 。因为一个模块上装置 32 个芯片或许发生过热以及空间问题,苹果计算机一般主张客户运用非组成模块。
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