SKHynix刚刚宣告了176层NAND闪存芯片，特色是从传统规划晋级到了PUC方案。在最大极限进步出产功率的一起，还能够减小存储芯片的尺度。WCCFTech指出，作为4DNAND闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业供给了样品，以推进相关产品的上市。
从96层NAND闪存芯片开端，海力士一直在推进4D技能的开展。本文介绍的176层NAND芯片，现已开展到第三代。从制作上来说，其能够保证业界最佳的每片晶圆产出。
海力士NAND开发负责人JungDalChoi表明：“闪存职业正在尽力改进技能，以完成高集成度和高产量。一起作为4DNAND的前驱，海力士将引领业界最高的技能和产能”。
功能方面，第三代4DNAND技能可进步单元读取速度和数据传输速率，此外176层NAND闪存芯片采用了2分区单元阵列挑选技能。
其原理是将存储单元分成了两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。经过不添加处理数量的加快技能（保证数据调用恳求能够快速呼应），第三代4DNAND还可将传输速率进步33%。
然后是能够实时主动校对的超精细对准技能，其特色是能够保证仓库之间的电流稳定性，从而保证牢靠的功能。
展望未来，海力士期望开宣告依据176层4DNAND技能的Tb级产品。在此之前，美光现已发布了176层NAND，而且推出了依据英睿达品牌的产品。
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