美高梅官网

中文 EN
首页
关于美高梅官网
新品宣布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳美高梅官网科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品 ，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求 ，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能 ，降低导通消耗和开关消耗 ，更低的开关噪声、更低的Trr ，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点 ，适用于充电器 ，电源适配器 ，TV电源、工业电源等领 域 ，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.接纳美高梅官网科技特殊多层外延工艺制程设计 ，具有更高的工艺稳固性和可靠性 ，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装 ，具有更好的热值特征。
规格书
相关新品

SOD-123HE瞬态抑制二极管

JC系列

TOLL封装 SiC MOSFET

应用于汽车PTC的80A/1200V IGBT单管

用于散热电扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

SKBPC75大电流三相方桥

SMB-W封装EM540BG

应用于散热电扇的NP合封MOSFET

用于手机电路板的DFN1608封装小信号肖特基二极管

针对高传输速率信号口的ESD防护计划

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验 ，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒 ，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图