实现设备本土化是我国发展集成电路产业的关键之一,关系到我国能否拥有产业自主权。随着我国对半导体产业的重视,国产半导体设备不断推陈出新。
半导体集成电路制造过程及其复杂,需要用到的设备包括:硅片制造设备、晶圆制造设备、封装设备和辅助设备等。设备投入往往是生产线建立成本中占据最大份额的部分。根据SEMI的数据,以一座投资规模为15亿元美金的晶圆厂为例,晶圆厂70%的投资用于购买设备(约10亿元美金),设备中的70%是晶圆制造设备,封装设备和测试设备占比约为15%和10%。晶圆制造设备中,光刻机,刻蚀机,薄膜沉积设备为核心设备,分别占晶圆制造环节设备成本的30%,25%,25%。
半导体设备行业,集中度非常高,基本被美日荷垄断。全球前十大厂商基本占据了超过90%的市场份额,荷兰公司ASML更是几乎垄断了高端光刻机市场。
实现设备本土化是我国发展集成电路产业的关键之一,关系到我国能否拥有产业自主权。随着我国对半导体产业的重视,国产半导体设备不断推陈出新,以下为近期推出的国产半导体设备
作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中领先的设备供应商,盛美半导体设备(NASDAQ:ACMR)近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备,这是加入Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器(DRAM)和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗,以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础,进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体,对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统,其腔体数及产能增加了50%,而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。
8230双轴全自动划片机,是一款高效率、高精度、高性能、低使用成本的双轴(对向)全自动晶圆切割机,最大切割工件尺寸可达12英寸。该款产品在郑州基地研发制造,是由郑州研发团队携以色列ADT和英国LP & LPB研发团队的工程师合力研发打造的第一颗果实,接下来将会到客户工厂进行DEMO。8230双轴全自动划片机未来主要在郑州基地生产制造,预计2020年底开始向市场批量供货。
NMC612G 12 英寸金属刻蚀机是电感耦合高密度等离子体干法刻蚀机,具有多种均匀性控制手段,如电流分布控制技术、气体比例控制技术、静电卡盘温控技术等,为客户提供了多种均匀性调节选择,拓宽了工艺空间。其中,静电卡盘及传输系统不但适用于常规硅片的传输,也适用于不同领域的玻璃片、SOG 片等晶圆的传输及吸附,可多元化满足各领域多种需求。此外,针对刻蚀后残留气体导致的金属腐蚀问题,该设备采用微波去胶技术,利用 O2 产生等离子体,可以较高的速率实现不同金属刻蚀后 PR 掩膜的去除,并保证金属长期存放过程中不被腐蚀。
该设备是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备,反应腔最高温度可达1400度,具有优异的工艺重复性、均匀性和低缺陷率。该设备同时也为高产量而设计,单炉可生长18片2英寸外延晶片,并可延伸到生长4英寸晶片。
扬杰科技推出的Low VF肖特基产品,封装类型丰富,满足不同应用需求,主要用于适配器、LED电源、家电等行业
虽然我国半导体设备不断发展,取得了长足的进步,但高端的半导体设备仍与国际先进水平有所差距。伴随着我国半导体产业的发展,对半导体设备的需求也将不断增加,发展尖端半导体设备刻不容缓。
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